FDS2582 Fairchild
Symbol Micros:
TFDS2582
Gehäuse: SOIC08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 146 mOhm; 4.1A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 146mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOIC08 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDS2582 RoHS
Gehäuse: SOIC08t/r
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8971 | 0,5636 | 0,4673 | 0,4157 | 0,3898 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDS2582
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5139 |
Widerstand im offenen Kanal: | 146mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOIC08 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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