FDS2582 Fairchild

Symbol Micros: TFDS2582
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 146 mOhm; 4.1A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 146mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDS2582 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9010 0,5991 0,4953 0,4481 0,4293
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 146mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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