FDS2582 Fairchild

Symbol Micros: TFDS2582
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 146 mOhm; 4.1A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 146mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDS2582 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8939 0,5944 0,4914 0,4446 0,4259
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS2582 Gehäuse: SOIC08  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5120
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 146mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD