FDS2582 Fairchild
Symbol Micros:
TFDS2582
Gehäuse: SOIC08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 146 mOhm; 4.1A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 146mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDS2582 RoHS
Gehäuse: SOIC08t/r
Auf Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8968 | 0,5634 | 0,4672 | 0,4155 | 0,3897 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDS2582
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4734 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDS2582
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4984 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 146mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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