FDS4435BZ

Symbol Micros: TFDS4435bz
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Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 35mOhm; 8,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDS4435BZ-F085;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDS4435BZ RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6911 0,4369 0,3444 0,3143 0,3005
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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