FDS4435BZ

Symbol Micros: TFDS4435bz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 35mOhm; 8,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDS4435BZ-F085;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS4435BZ RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7068 0,4468 0,3522 0,3215 0,3073
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS4435BZ Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
17500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3073
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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