FDS6675BZ

Symbol Micros: TFDS6675bz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 21,8 mOhm; 11A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 21,8mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Max. Drainstrom: 11A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDS6675BZ RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0457 0,6964 0,5752 0,5194 0,4984
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDS6675BZ Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
65000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4984
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDS6675BZ Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4984
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 21,8mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Max. Drainstrom: 11A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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