FDS6675BZ

Symbol Micros: TFDS6675bz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 21,8 mOhm; 11A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 21,8mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDS6675BZ RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8129 0,5101 0,4235 0,3757 0,3529
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 21,8mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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