FDS6679AZ Fairchild
Symbol Micros:
TFDS6679az
Gehäuse: SOIC08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 14,8 mOhm; 13A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 14,8mOhm |
Max. Drainstrom: | 13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOIC08 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDS6679AZ RoHS
Gehäuse: SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8825 | 0,5548 | 0,4611 | 0,4096 | 0,3839 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDS6679AZ
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3839 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDS6679AZ
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
22500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3839 |
Widerstand im offenen Kanal: | 14,8mOhm |
Max. Drainstrom: | 13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOIC08 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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