FDS6681Z

Symbol Micros: TFDS6681z

Gehäuse: SOP08

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 6,5 mOhm; 20A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS6681Z RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5871	1,2664	1,0838	0,9738	0,9340

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS6681Z Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9700

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD