FDS6690A

Symbol Micros: TFDS6690a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDS6690A RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4823 0,2669 0,2107 0,1988 0,1925
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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