FDS6912A
Symbol Micros:
TFDS6912a
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
Max. Drainstrom: | 6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDS6912A RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9785 | 0,7186 | 0,5758 | 0,4939 | 0,4658 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDS6912A
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
12500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4658 |
Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
Max. Drainstrom: | 6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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