FDS6912A

Symbol Micros: TFDS6912a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS6912A RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9785 0,7186 0,5758 0,4939 0,4658
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS6912A Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
12500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4658
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD