FDS89141

Symbol Micros: TFDS89141
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 107mOhm; 3,5A; 31W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 107mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 107mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD