FDT3612
Symbol Micros:
TFDT3612
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 245 mOhm; 3,7A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 245mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 245mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole