FDT3612

Symbol Micros: TFDT3612
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Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 245 mOhm; 3,7A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 245mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDT3612 Gehäuse: SOT223  
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Nettopreis (EUR) 0,2273
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Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 245mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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