FDT439N

Symbol Micros: TFDT439N

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 72mOhm; 6,3A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	72mOhm
Max. Drainstrom:	6,3A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	8V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDT439N RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

3453 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7859	0,4989	0,3918	0,3576	0,3417

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDT439N Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3417

Widerstand im offenen Kanal:	72mOhm
Max. Drainstrom:	6,3A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD