FDT458P Fairchild
Symbol Micros:
TFDT458p
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 210mOhm; 3,4A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 210mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 210mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole