FDT86102LZ

Name: TFDT86102LZ TFDT86102LZ
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDT86102LZ
Price: 1.3721 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDT86102LZ

Gehäuse: SOT223-4

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 46mOhm; 6,6A; 2,2 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	46mOhm
Max. Drainstrom:	6,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2,2W
Gehäuse:	SOT223-4
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDT86102LZ RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt

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15 stk.

Anzahl Stück	1+	2+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,0594	1,8295	1,4777	1,3979	1,3721

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDT86102LZ Gehäuse: SOT223-4

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4000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3721

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDT86102LZ Gehäuse: SOT223-4

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8000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3721

Widerstand im offenen Kanal:	46mOhm
Max. Drainstrom:	6,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2,2W
Gehäuse:	SOT223-4
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD