FDV301N

Symbol Micros: TFDV301n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDV301N-NB9V008;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
23540 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2084 0,0990 0,0556 0,0424 0,0379
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
833 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2084 0,0990 0,0556 0,0424 0,0379
Standard-Verpackung:
1953
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
193 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2084 0,0990 0,0556 0,0424 0,0379
Standard-Verpackung:
1047
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
2735 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0465
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
11900 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0379
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
2307000 stk.
Anzahl Stück 21000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0379
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD