FDY1002PZ

Symbol Micros: TFDY1002pz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 1,8 Ohm; 830mA; 625 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 830mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDY1002PZ RoHS Gehäuse: SOT666  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5008 0,3000 0,2516 0,2151 0,2003
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Standard-Verpackung:
25/100
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 830mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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