FDY100PZ

Symbol Micros: TFDY100pz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 2,7 Ohm; 350mA; 625 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,7Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDY101PZ RoHS Gehäuse: SOT523  
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100 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,3046 0,1683 0,1324 0,1225 0,1175
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,7Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD