FDY2000PZ

Symbol Micros: TFDY2000pz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 2,7 Ohm; 350mA; 625 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,7Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDY2000PZ RoHS Gehäuse: SOT666  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3000 0,1636 0,1073 0,0926 0,0854
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,7Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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