FGA15N120ANTDTU_F109
Symbol Micros:
TFGA15N120antdu
Gehäuse: TO 3P
Trans IGBT; 1200V; 20V; 30A; 45A; 186W; 4,5~8,5V; 180nC; -55°C~150°C; Äquivalent: FGA15N120ANTDTU-F109; FGA15N120ANTDTU_F109;
Parameter
| Gate-Ladung: | 180nC |
| Maximale Verlustleistung: | 186W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
| Max. Kollektor-Strom: | 30A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 8,5V |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gate-Ladung: | 180nC |
| Maximale Verlustleistung: | 186W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
| Max. Kollektor-Strom: | 30A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 8,5V |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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