FGA60N60UFDTU

Symbol Micros: TFGA60N60ufdtu

Gehäuse: TO 3P

Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	188nC
Maximale Verlustleistung:	298W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	180A
Max. Kollektor-Strom:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO-3P
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N60UFDTU RoHS Gehäuse: TO 3P

Auf Lager:

2 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	6,5675	6,0480	5,7307	5,5708	5,4721

Gate-Ladung:	188nC
Maximale Verlustleistung:	298W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	180A
Max. Kollektor-Strom:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO-3P
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT