FGA60N65SMD

Symbol Micros: TFGA60N65smd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Max. Kollektor-Strom: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
113 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 150+
Nettopreis (EUR) 4,0235 3,5866 3,3235 3,1920 3,0957
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Standard-Verpackung:
30/150
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Max. Kollektor-Strom: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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