FGA60N65SMD
Symbol Micros:
TFGA60N65smd
Gehäuse: TO 3P
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 284nC |
| Maximale Verlustleistung: | 600W |
| Max. Kollektor-Strom: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
144 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 150+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0246 | 3,5876 | 3,3245 | 3,1929 | 3,0966 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
2223 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0966 |
| Gate-Ladung: | 284nC |
| Maximale Verlustleistung: | 600W |
| Max. Kollektor-Strom: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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