FGA60N65SMD

Name: TFGA60N65smd TFGA60N65smd
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFGA60N65smd
Price: 3.1038 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFGA60N65smd

Gehäuse: TO 3P

Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;

Parameter

Gate-Ladung:	284nC
Maximale Verlustleistung:	600W
Max. Kollektor-Strom:	120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD RoHS Gehäuse: TO 3P

Auf Lager:

144 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	150+
Nettopreis (EUR)	4,0340	3,5960	3,3322	3,2004	3,1038

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

2223 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,1038

Gate-Ladung:	284nC
Maximale Verlustleistung:	600W
Max. Kollektor-Strom:	120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	650V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT