FGA60N65SMD
Symbol Micros:
TFGA60N65smd
Gehäuse: TO 3P
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: | 284nC |
Maximale Verlustleistung: | 600W |
Max. Kollektor-Strom: | 120A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
Gehäuse: | TO 3P |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
144 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 150+ |
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Nettopreis (EUR) | 4,0340 | 3,5960 | 3,3322 | 3,2004 | 3,1038 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
2223 stk.
Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,1038 |
Gate-Ladung: | 284nC |
Maximale Verlustleistung: | 600W |
Max. Kollektor-Strom: | 120A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
Gehäuse: | TO 3P |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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