FGAF40N60SMD

Name: TFGAF40N60smd TFGAF40N60smd
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFGAF40N60smd
Price: 3.7020 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFGAF40N60smd

Gehäuse: TO 3Piso

Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;

Parameter

Gate-Ladung:	119nC
Maximale Verlustleistung:	115W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Max. Kollektor-Strom:	80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO-3Piso
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGAF40N60SMD RoHS Gehäuse: TO 3Piso Datenblatt

Auf Lager:

22 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,5152	4,6382	4,1110	3,8486	3,7020

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGAF40N60SMD Gehäuse: TO 3Piso

Externes Lager:

690 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,7020

Gate-Ladung:	119nC
Maximale Verlustleistung:	115W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Max. Kollektor-Strom:	80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO-3Piso
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT