TFGH30S130p

Symbol Micros: TFGH30S130p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Parameter
Gate-Ladung: 372,3nC
Maximale Verlustleistung: 500W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 372,3nC
Maximale Verlustleistung: 500W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 1300V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 25V
Montage: THT