FGH40N60SFDTU

Symbol Micros: TFGH40N60sfdtu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 290W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SFDTU RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 90+ 180+
Nettopreis (EUR) 4,0124 3,4483 3,1874 3,1145 3,0863
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Standard-Verpackung:
30/90
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 290W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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