FGH40N60SMDF
Symbol Micros:
TFGH40N60smdf
Gehäuse: TO247
Trans IGBT Chip N-CH; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH40N60SMDF-F085 FGH40N60SMDF_F085;
Parameter
| Gate-Ladung: | 119nC |
| Maximale Verlustleistung: | 349W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gate-Ladung: | 119nC |
| Maximale Verlustleistung: | 349W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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