FGH40T120SMD-F155

Symbol Micros: TFGH40T120smd-f155
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT Chip N-CH; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~75°C;
Parameter
Gate-Ladung: 370nC
Maximale Verlustleistung: 555W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,9V ~ 7,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 370nC
Maximale Verlustleistung: 555W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,9V ~ 7,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 25V
Montage: THT