FGH75T65UPD TO247AB
Symbol Micros:
TFGH75T65upd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Ähnlich zu: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
Parameter
| Gate-Ladung: | 578nC |
| Maximale Verlustleistung: | 375W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 225A |
| Max. Kollektor-Strom: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 7,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
28 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,3529 | 4,9278 | 4,6671 | 4,5355 | 4,4604 |
| Gate-Ladung: | 578nC |
| Maximale Verlustleistung: | 375W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 225A |
| Max. Kollektor-Strom: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 7,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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