FMMT619TA

Symbol Micros: TFMMT619TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 50V 2A 625mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 50V 2A 625mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 806mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 165MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FMMT619TA RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3869 0,2134 0,1678 0,1555 0,1491
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 806mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 165MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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