FMMT717TA Diodes

Symbol Micros: TFMMT717ta
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PNP 12V 2.5A 625mW 110MHz PNP 12V 2.5A 625mW 110MHz
Parameter
Verlustleistung: 806mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 110MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 806mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 110MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP