FMMT723TA DIODES

Symbol Micros: TFMMT723TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 806mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FMMT723TA RoHS .723 Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3812 0,2111 0,1666 0,1513 0,1463
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FMMT723TA RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
420 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3812 0,2111 0,1666 0,1513 0,1463
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: FMMT723TA RoHS 723 Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3812 0,2111 0,1666 0,1513 0,1463
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 806mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP