FQA13N80 Fairchild
Symbol Micros:
TFQA13n80
Gehäuse: TO 3P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 750 mOhm; 12,6A; 300 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQA13N80_F109; FQA13N80-F109;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FQA13N80_F109 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,1494 | 2,7077 | 2,4467 | 2,3208 | 2,2499 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FQA13N80_F109 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,1494 | 2,5955 | 2,3849 | 2,2751 | 2,2499 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FQA13N80-F109
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
450 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,2788 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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