FQA140N10 Fairchild

Symbol Micros: TFQA140n10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 10mOhm; 140A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 140A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 140A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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