FQA24N60 Fairchild
Symbol Micros:
TFQA24n60
Gehäuse: TO 3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 240 mOhm; 23,5A; 310 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
| Max. Drainstrom: | 23,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
| Gehäuse: | TO 3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQA24N60 RoHS
Gehäuse: TO 3
Auf Lager:
9 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,1483 | 3,6852 | 3,4088 | 3,2695 | 3,1915 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQA24N60
Gehäuse: TO 3
Externes Lager:
270 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,3050 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
| Max. Drainstrom: | 23,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
| Gehäuse: | TO 3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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