FQA24N60 Fairchild

Symbol Micros: TFQA24n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 240 mOhm; 23,5A; 310 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Max. Drainstrom: 23,5A
Gehäuse: TO 3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQA24N60 RoHS Gehäuse: TO 3  
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 4,1383 3,6764 3,4007 3,2616 3,1838
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Max. Drainstrom: 23,5A
Gehäuse: TO 3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole