FQA70N10 Fairchild
Symbol Micros:
TFQA70n10
Gehäuse: TO 3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 23mOhm; 70A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Gehäuse: | TO 3 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQA70N10 RoHS
Gehäuse: TO 3
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7973 | 1,3328 | 1,1367 | 1,0714 | 1,0574 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Gehäuse: | TO 3 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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