FQA8N100C

Name: TFQA8n100c TFQA8n100c
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFQA8n100c
Price: 3.0874 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFQA8n100c

Gehäuse: TO 3P

N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 1,45 Ohm; 8A; 225 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,45Ohm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	225W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQA8N100C RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt

Auf Lager:

39 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	60+	180+
Nettopreis (EUR)	4,0141	3,4491	3,1891	3,1370	3,0874

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQA8N100C Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

1500 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,0874

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQA8N100C Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,0874

Widerstand im offenen Kanal:	1,45Ohm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	225W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT