FQA8N100C

Symbol Micros: TFQA8n100c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 1,45 Ohm; 8A; 225 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,45Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 225W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQA8N100C RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
39 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 180+
Nettopreis (EUR) 3,8679 3,3235 3,0729 3,0228 2,9749
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Standard-Verpackung:
30/60
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQA8N100C Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,9749
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Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,45Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 225W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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