FQAF11N90C Fairchild

Symbol Micros: TFQAF11n90c
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Gehäuse: TO 3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,1 Ohm; 7A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,1Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO 3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQAF11N90C Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
115140 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,8603
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQAF11N90C Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
360 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5889
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,1Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO 3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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