FQAF11N90C Fairchild

Symbol Micros: TFQAF11n90c

Gehäuse: TO 3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,1 Ohm; 7A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,1Ohm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO 3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQAF11N90C Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

45839 stk.

Anzahl Stück	90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8657

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQAF11N90C Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

360 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,5916

Widerstand im offenen Kanal:	1,1Ohm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO 3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT