FQB12P20TM
Symbol Micros:
TFQB12p20tm
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 470 mOhm; 11,5A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 470mOhm |
Max. Drainstrom: | 11,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQB12P20TM RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,3219 | 1,0091 | 0,8350 | 0,7315 | 0,6962 |
Widerstand im offenen Kanal: | 470mOhm |
Max. Drainstrom: | 11,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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