FQB22P10TM

Symbol Micros: TFQB22p10tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 125 mOhm; 22A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FQB22P10TM-F085; FQB22P10TM_F085;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQB22P10TM RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6166 1,2337 1,0210 0,8957 0,8508
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQB22P10TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8508
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQB22P10TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8508
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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