FQB44N10TM
Symbol Micros:
TFQB44n10tm
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 39mOhm; 43,5A; 146W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 39mOhm |
| Max. Drainstrom: | 43,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 146W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 39mOhm |
| Max. Drainstrom: | 43,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 146W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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