FQB44N10TM

Symbol Micros: TFQB44n10tm

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 39mOhm; 43,5A; 146W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	39mOhm
Max. Drainstrom:	43,5A
Maximaler Leistungsverlust:	146W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	25V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQB44N10TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)

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1600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0668

Widerstand im offenen Kanal:	39mOhm
Max. Drainstrom:	43,5A
Maximaler Leistungsverlust:	146W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD