FQB5N90TM
Symbol Micros:
TFQB5n90tm
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 5.4A 900V 158W 2.3Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 158W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 158W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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