FQD11P06TM

Symbol Micros: TFQD11p06tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 185 mOhm; 9,4A; 38W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: TPFQD11P06TM, FQD11P06TM-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Max. Drainstrom: 9,4A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: TPFQD11P06TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
440 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9007 0,5670 0,4457 0,4060 0,3920
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Max. Drainstrom: 9,4A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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