FQD12N20LTM

Symbol Micros: TFQD12n20ltm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 320 mOhm; 9A; 55W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQD12N20LTM-F085; FQD12N20LTM_F085;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQD12N20LTM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7386 0,4685 0,3693 0,3370 0,3208
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQD12N20LTM Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
17500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3208
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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