FQD13N06LTM
Symbol Micros:
TFQD13n06ltm
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Logic N-MOSFET 11A 60V 28W 0.115Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 115mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 28W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 115mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 28W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole