FQD17P06TM

Symbol Micros: TFQD17p06tm

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 135 mOhm; 12A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	135mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD17P06TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

27500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3564

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD17P06TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

222500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3517

Widerstand im offenen Kanal:	135mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD