FQD1N80TM

Symbol Micros: TFQD1n80tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 20 Ohm; 1A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Max. Drainstrom: 1A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQD1N80TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5623 0,3127 0,2450 0,2319 0,2245
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Max. Drainstrom: 1A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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