FQD2N100TM

Symbol Micros: TFQD2n100tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 9Ohm; 1,6A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQD2N100TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r  
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100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1689 0,8189 0,6954 0,6359 0,6153
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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