FQD2N60CTM

Name: TFQD2n60ctm TFQD2n60ctm
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFQD2n60ctm
Price: 0.3864 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFQD2n60ctm

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,7 Ohm; 1,9A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,7Ohm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQD2N60CTM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8447	0,5285	0,4131	0,3739	0,3554

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQD2N60CTM RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	320+
Nettopreis (EUR)	0,8447	0,5285	0,4385	0,3900	0,3670

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQD2N60CTM Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

50000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3670

Widerstand im offenen Kanal:	4,7Ohm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD