FQD2N80TM

Symbol Micros: TFQD2n80tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 6,3 Ohm; 1,8A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,3Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQD2N80TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5336 0,3341 0,2784 0,2483 0,2320
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 6,3Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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