FQD6N40CTM
Symbol Micros:
TFQD6n40ctm
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 1Ohm; 4,5A; 48W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1Ohm |
Max. Drainstrom: | 4,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 48W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD6N40CTM RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,8464 | 0,5352 | 0,4220 | 0,3843 | 0,3678 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD6N40CTM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
22500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5471 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1Ohm |
Max. Drainstrom: | 4,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 48W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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