FQD6N40CTM

Symbol Micros: TFQD6n40ctm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 1Ohm; 4,5A; 48W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQD6N40CTM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8461 0,5350 0,4219 0,3842 0,3677
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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