FQD6N40CTM

Symbol Micros: TFQD6n40ctm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 1Ohm; 4,5A; 48W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD6N40CTM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8464 0,5352 0,4220 0,3843 0,3678
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD6N40CTM Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
22500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5471
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD