FQD8P10TM
Symbol Micros:
TFQD8p10tm
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 530 mOhm; 6,6A; 44W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQD8P10TM-F085; FQD8P10TM_F085;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 530mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD8P10TM RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
32 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7290 | 0,4571 | 0,3797 | 0,3375 | 0,3164 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD8P10TM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
93942 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3164 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD8P10TM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3164 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 530mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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