FQD8P10TM

Symbol Micros: TFQD8p10tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 530 mOhm; 6,6A; 44W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQD8P10TM-F085; FQD8P10TM_F085;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 530mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Max. Drainstrom: 6,6A
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQD8P10TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7140 0,4480 0,3710 0,3313 0,3103
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 530mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Max. Drainstrom: 6,6A
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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