FQP11N40C Fairchild

Symbol Micros: TFQP11n40c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 530 mOhm; 10,5A; 135W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 530mOhm
Max. Drainstrom: 10,5A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,8786 0,5535 0,4358 0,4004 0,3816
Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
18 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 48+ 240+ 960+
Nettopreis (EUR) 0,8786 0,5559 0,4405 0,3957 0,3816
Standard-Verpackung:
48
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0943
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2377 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9696
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 530mOhm
Max. Drainstrom: 10,5A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT