FQP11N40C Fairchild

Symbol Micros: TFQP11n40c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 530 mOhm; 10,5A; 135W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 530mOhm
Max. Drainstrom: 10,5A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,8779 0,5531 0,4354 0,4001 0,3813
Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
18 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 48+ 240+ 960+
Nettopreis (EUR) 0,8779 0,5554 0,4401 0,3954 0,3813
Standard-Verpackung:
48
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2048 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9144
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 530mOhm
Max. Drainstrom: 10,5A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT