FQP11N40C Fairchild
Symbol Micros:
TFQP11n40c
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 530 mOhm; 10,5A; 135W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 530mOhm |
Max. Drainstrom: | 10,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 135W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 150+ | 600+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8794 | 0,5541 | 0,4362 | 0,4008 | 0,3819 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
18 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 48+ | 240+ | 960+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8794 | 0,5564 | 0,4409 | 0,3961 | 0,3819 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,1026 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP11N40C
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2377 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9769 |
Widerstand im offenen Kanal: | 530mOhm |
Max. Drainstrom: | 10,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 135W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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