FQP17N40
Symbol Micros:
TFQP17N40
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 270 mOhm; 16A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 16A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP17N40
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4502 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP17N40
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
960 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5065 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 16A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole