FQP17N40

Symbol Micros: TFQP17N40
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 270 mOhm; 16A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP17N40 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
740 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,8088
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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